トランジスタ回路の設計 5日目

エミッタ・フォロワに興味を持った。

本の内容だけでは十分ではないような気がしたので、インターネット上にあるエミッタフォロワの情報を調べてみた。

http://analog-engineer.cocolog-nifty.com/blog/2008/03/2_9513.html
広い入力電圧範囲に対しては、エミッタに流れる電流の増加により非線形な特性になる。この非線形をなくすにはトランジスタを使った負荷を使う。OPアンプによる電圧フォロワの方が精度が高い。
→OPアンプによる電圧フォロワ回路構成は？

http://zohars.homelinux.org/tamarchives/emitterfollower1.html
トランジスタ回路の設計では入力インピーダンスを「高く」、出力インピーダンスを「低く」としか説明されていなかったが、ここではそれぞれhFE倍、hFE分の一とより詳しい。

図２において，hFEが100以上ぐらいあると電源 Vcc から抵抗 R1，R2 を通ってグラウンドに流れ出る電流のうちベースに流れ込む電流が無視できるようになるので

これって、hFE関係あるのかな？ベースに流れる電流はVBで決まる。VBはR1とR2の比で決まる。R1,R2を流れる電流はR1,R2の抵抗値で決まる。だから、比を一定にしていればR1,R2の抵抗値は自由に設定できる。たぶん関係ないと思う。

しかし、こういう一般的な回路なら良いが、初めて見る回路は近似して良いものか判断に迷う。電流がたくさん流れてるところが特性に支配的で、電流があまり流れたないところは無視できるという仮定を考えてみた。

ベース広がり抵抗rb：こういう表現をするのか。寄生抵抗なのだろう。

入力される交流電圧viはVCCよりもかなり小さいという前提がある。

voのところが開放になっているが、これはREに対して大きな負荷が接続される場合は、REと負荷の並列接続になりREの方が支配的になるため開放にしている。

交流の入力のときにR1,R2を無視してるのは何でだったか。思い出せない。

電圧増幅度1になるのは理解できた。
そのときに、ベース広がり抵抗rbがRE*hFEに比べて十分小さいこと、reがREと比べて十分小さいという近似があることを覚えておく。

トランジスタの、電流源とかが入ったときのインピーダンスの計算がなんだかよくわからない。
Zi=ib * vi
で良いのか。そうか、インピーダンスの計算のときはAC的に考えるのか。DCとACと混ざってた。

R1,R2に流れる電流はDC電流だから、入力インピーダンスには関わらない。

インピーダンスが高い＝同じ電圧に対して小さい電流しか流れない

しかし、感覚的に理解できていない。REにはhFE倍の電流が流れるのだから、電流がたくさん流れる＝インピーダンスが低いではないのか。

勘違いしてる。hFE倍されてるのはviの方だ。それなら入力インピーダンスが高くなるのは理解できる。